碳化硅绝缘体:类型和应用

碳化硅绝缘体:类型和应用

碳化硅绝缘体简介

什么是碳化硅绝缘体?

碳化硅绝缘体是指由以下材料制成的绝缘层 碳化硅 (SiC) 材料制成。在 USCI 碳化硅 MOS 晶体管(一种特殊结构的 MOS 场效应晶体管)中,介电层由碳化硅材料制成,通常为非晶态。

这一层通常很薄,具有极佳的绝缘性能,能有效阻断电流的流动。

碳化硅绝缘体的类型

分类

            类型

       益处

             应用

 

 

 

基于杂质含量和晶格缺陷密度

 

4H-SiC N 型半绝缘(SIC)晶片

 

杂质含量和晶格缺陷密度低,表面质量好

 

制备功率器件、射频器件和光电器件

 

4H-SiC N 型低杂质(低掺杂,LD)晶片

 

杂质含量略高

 

制备功率器件、射频器件和光电器件

 

 

基于制造工艺和晶体结构

 

单晶碳化硅绝缘体

 

高纯度和完美的晶体结构

 

是要求高性能和高稳定性的应用的理想之选

 

多晶碳化硅绝缘体

 

制造工艺相对简单,成本较低

 

适用于某些性能要求不太严格的应用场合

 

 

 

基于应用领域

 

用于电力电子设备的碳化硅绝缘体

 

出色的耐高温和耐高压性能

 

适用于电力电子系统中的大功率和高效率转换

 

用于高频电子设备的碳化硅绝缘体

 

更低的介电常数和介电损耗

 

适用于高频通信、微波设备等。

使用碳化硅绝缘体的优势

碳化硅绝缘体类型

碳化硅绝缘体的优点与碳化硅相同。

  • 耐高温
  • 优异的化学稳定性
  • 机械强度高
  • 良好的电气绝缘性能
  • 重量轻

碳化硅绝缘体制造工艺

碳化硅绝缘体的生产涉及多种制备技术。如果您对碳化硅绝缘体的制备技术感兴趣,我们将在此介绍一些常用的方法:

碳化硅绝缘体

直接制备法: 从名称可以判断,这是一种相对直接的制备方法,即在二氧化硅衬底上直接制备碳化硅。这通常包括在二氧化硅晶片上沉积一层非晶硅,然后退火将其转化为多晶硅。然后,将碳离子植入多晶硅层,形成多晶碳化硅。

化学气相沉积法 这是一种较新的制备技术,包括混合碳源材料(如 SiCl4 或 CH3SiCl3)和气体(如 NH3 或 H2),并通过加热使其气化。然后,气体混合物被输送到反应器中,在催化剂的作用下,在足够高的温度(通常为 800-1200°C)下发生碳化反应,从而在基底上沉积碳化硅薄膜。

溶胶-凝胶法 这种方法通过溶胶-凝胶反应使前驱体溶液凝胶化,从而制备碳化硅粉末。凝胶在特定温度下煅烧,发生脱水、脱氯和碳化反应,最终得到碳化硅粉末。

碳化硅绝缘体的应用

碳化硅--绝缘子

  • 电力电子领域: 如逆变器、变频器、电源等。
  • 汽车电子领域: 汽车电子产品,如电动汽车、混合动力汽车等。
  • 光电领域: 高速通信、光通信、光电检测和其他领域
  • 新能源领域: 太阳能电池、风力涡轮机、储能设备及其他领域

结论

如果您正在寻找高品质的碳化硅材料来满足您的需求,请立即联系我们,详细了解我们的碳化硅绝缘体解决方案。我们为您的需求提供 24 小时在线服务。

info@sdgangtie.com.

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