用于碳化硅晶片的 Sic

碳化硅成分

碳化硅的成分和特性

碳化硅 是一种由碳和硅合成的化合物,具有独特的化学和物理特性。碳化硅有多种晶体形态,常见的有四方和六方结构,称为 4H-SiC 和 6H-SiC.这些结构使碳化硅能够适应不同的环境和用途。

碳化硅具有极高的导热性,甚至超过了大多数金属,其硬度仅次于金刚石,是高温高压环境下的理想材料。

总之,碳化硅的独特性能在现代技术中发挥着重要作用,尤其是在电动汽车、可再生能源系统和通信基础设施等领域。总之,碳化硅不仅是一种迷人的材料,也是推动各行各业创新的关键因素。
SIC 晶体结构

碳化硅晶片的制造工艺

碳化硅晶片的生产过程错综复杂。以下是该工艺的简要概述:

原材料和碳化硅晶体生长:最初需要纯硅和碳材料。这些材料在高温下发生反应,生长出碳化硅晶体。这一过程通常采用物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)技术。

碳化硅晶片

水晶切割和抛光: 碳化硅晶体生长出来后,会被切割成薄片,即所谓的晶片。然后对这些晶片进行精确抛光,以确保其表面光滑无暇。

使用兴奋剂 掺杂是改变硅片电气特性的关键步骤。通过在硅晶体中引入微量的其他元素(如磷或硼),可以控制硅片的导电性。

平版印刷和蚀刻 光刻技术是一种利用光将图案转移到晶片表面的技术。光刻之后,使用化学或等离子蚀刻技术去除不需要的材料,形成电路图案。

沉积绝缘层和金属层: 绝缘层和金属层沉积在晶片上,形成电路连接和栅极结构。

包装 最后,将制造好的晶片包装成可用的元件。这包括将晶片安装到封装中,并与外部线路连接。

整个过程需要精确的控制和高度洁净的室内条件,以避免任何微小的杂质或灰尘影响晶片的性能。碳化硅晶片在高温、高电压和高频率下性能卓越,特别适用于高端电力电子产品。

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