Sic для пластин из карбида кремния

Состав карбида кремния

Состав и характеристики карбида кремния

Карбид кремния это синтезированное из углерода и кремния соединение, обладающее уникальными химическими и физическими свойствами. Карбид кремния выпускается в различных кристаллических формах, среди которых наиболее распространены тетрагональная и гексагональная структуры, называемые 4H-SiC и 6H-SiC. Эти структуры позволяют карбиду кремния адаптироваться к различным условиям и целям.

Карбид кремния обладает исключительно высокой теплопроводностью, превосходящей большинство металлов, а по твердости уступает только алмазу, что делает его идеальным материалом для работы в условиях высоких температур и высокого давления.

В целом уникальные свойства карбида кремния играют важную роль в современных технологиях, особенно в таких областях, как электромобили, системы возобновляемой энергии и коммуникационная инфраструктура. Таким образом, карбид кремния - это не только интересный материал, но и ключевой фактор, способствующий развитию инноваций в различных отраслях промышленности.
Кристаллическая структура SIC

Процесс производства пластин из карбида кремния

Процесс производства пластин из карбида кремния очень сложен. Ниже приводится краткий обзор этого процесса:

Сырье и выращивание кристаллов карбида кремния: Первоначально необходимо получить чистый кремний и углерод. Эти материалы вступают в реакцию при высоких температурах для выращивания кристаллов карбида кремния. В этом процессе обычно используются методы физического осаждения из паровой фазы (PVD) или химического осаждения из паровой фазы (CVD).

Пластины из карбида кремния

Огранка и полировка кристаллов: После того как кристаллы карбида кремния выращены, их разрезают на тонкие ломтики, называемые пластинами. Затем эти пластины подвергаются точной полировке, чтобы обеспечить гладкую и безупречную поверхность.

Допинг: Легирование - важнейший этап изменения электрических свойств пластины. Вводя в кристалл кремния следовые количества других элементов (например, фосфора или бора), можно управлять электропроводностью пластины.

Литография и травление: Литография - это техника, использующая свет для переноса рисунка на поверхность пластины. После литографии для удаления ненужного материала используются методы химического или плазменного травления, в результате чего формируются схемы.

Осаждение изолирующих и металлических слоев: На пластину наносятся изолирующие и металлические слои для формирования схемных соединений и структур затворов.

Упаковка: Наконец, изготовленная пластина упаковывается в пригодный для использования компонент. Для этого необходимо установить пластину в корпус и подключить ее к внешним проводам.

Весь процесс требует точного контроля и соблюдения чистоты в помещении, чтобы избежать влияния мельчайших примесей или пыли на характеристики пластин. Пластины из карбида кремния, обладающие превосходными характеристиками при высоких температурах, высоких напряжениях и высоких частотах, особенно подходят для высокотехнологичной силовой электроники.

Связанный блог

Сопутствующие товары

Оглавление

Добро пожаловать на запрос

Свяжитесь с нашими профессиональными продавцами, заполнив форму, мы предлагаем круглосуточную бесплатную консультацию.

Эксклюзивные предложения Наслаждение

Благодарим вас за интерес к нашему продукту! Оставьте сообщение сейчас, и мы предложим вам эксклюзивные скидки или индивидуальные планы, чтобы помочь вам получить больше выгоды.